第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐压高、导通电阻低、寄生参数小等优异特性，应用于开关电源领域时，具有损耗小、工作频率高、可靠性高等优点，可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等。图1：碳化硅（SiC）和氮化镓(GaN)的开关动作时

作为功率半导体厂商，为下游客户提供典型应用方案似乎成行业内约定俗成的事。也就是说，作为半导体原厂不仅要设计好芯片，还要亲自设计和验证很多应用方案供下游客户参考或者直接采用，以便让自己的芯片能快速通过下游客户的应用而占领市场。但是下游客户面临的应用场景复杂多样，尽管芯片原厂提供了应用方案的原理图、甚至是PCB参考设计，在下游客户手中仍然会遇到各种各样的技术难题而导致项目停滞不前。 每当这个时候，下游