近段时间由于昂宝自身的缘故，很多客户都在市场找昂宝的芯片替代，对于OB2500系列骊微电子都推出了相关替料，PN8370可替代OB2500PCP，PN8680 替代OB2500POP，PN8370NEC-T1M可完美替代OB2500PAP。 OB2500PCP 可以用PN8370 替代 ，2-3 接短路即可，推荐应用： 12V 1A 用PN8370M 5V 2.1A 用PN8370F 5V 2.

5V1A的充电器是市场上应用比较多的类型，它支持的功能全面，而且稳定，5v1a充电器芯片PN8366六级能效充电方案，骊微电子该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点，备受工程师青睐！ PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边

2017年至今，苹果推出了多款手机均支持USB PD快充，苹果20W（5V3A & 9V2.22A）充电器的推出，将形成一个全新的市场，很有可能迎来20W快充市场的快速增长，骊微电子20W PD快充协议芯片PN8162，并已经实现批量生产，适用于20W PD充电器、适配器及开放式开关电源等应用场合。 PN8162 20W PD快充芯片特点： ■ 内置690V高雪崩能力的功率MOSFET

2020年苹果最新发布的iPhone 12系列手机取消了标配充电器。此外，苹果官网在售的所有旧款iPhone也一同取消了标配充电器，凭借着千万级别的手机销量，极大地释放了市场对USB PD快充充电器的需求。 面对日益增长的20W PD快充市场，芯朋微充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，迅速推出一套高集成20W PD快充套片方案，并凭借优良的性能和精简的外围电路，被多家知名品牌采用

随着今年苹果发布iPhone12系列，包括在售的老款机型都全面取消了适配器，各大品牌纷纷入局20W PD快充市场，赶着iPhone 12系列的热潮，骊微电子推出采用开关电源宽范围输出，协议芯片通过光耦控制输出电压的PN8161+PN8307 20w pd快充充电器方案典型架构。 20w pd快充充电器，输入：100-240V~ 50/60Hz 0.5A，输出：5V3A、9V2.22A、12V1.

AP8012H代换ST Viper12A，AP8012H芯片各个引脚功能跟VIPer12A各引脚功能都是一样的，工作原理也相同，可在不改PCB，不改外围参数的情况下实现PIN to PIN兼容。 AP8012H DIP代换ST Viper12A引脚定义 1,2 GND 功率MOS以及控制电路的参考地 3 COMP 反馈输入脚，用以确定功率MOS的峰值电流 4 VDD 控制电路的供电电源，启动时由

PN8611集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。 PN8611是一款全电压实现12V1A输出的电源适配器芯片，PCBA尺寸：50.0mm38

AZ431-A系列集成电路为40V电压型，其输出电压可设置为VREF（2.5V）之间的任何值36伏，AZ431-A精密基准提供两个带隙公差：0.4%和0.8%。 AZ431AN-ATRE1特点 ■ Programmable Precise Output Voltage from 2.5V to 36V ■ Very Accurate Reference Voltage: 0.15% Typica

氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇，在氮化镓快充市场迅速增长之际，65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点，从而率先成为了各大品牌的必争之地，ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片，适用于65w氮化镓充电器芯片方案。 NCP1342替代料PN8213芯片特征■ 内置高压启动电路■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■ Valley Lock：技术提高效率改善

MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D电性参数：4A&n

MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道 MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 沟道 MOSFE

PD快充协议是一种高速充电技术，能够快速给移动设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电，因此，在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型，骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。　　 常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型　　 36W和36W以内单C、单PD的非标市场主推