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关于Hi3516A的两种OSD叠加方式效果差异分析
在论坛各位前辈指导下 经过一些修改 基本实现了项目需求
但是 在实际观察中 发现两种OSD处理位置(VPSS处理 与 VENC处理)
在配置参数相同的情况下 出现效果差异 希望前辈指导一下 参数或者其他原因
解决了 就可以做个总结啦
但是 在实际观察中 发现两种OSD处理位置(VPSS处理 与 VENC处理)
在配置参数相同的情况下 出现效果差异 希望前辈指导一下 参数或者其他原因
解决了 就可以做个总结啦
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