海思平台uboot和内核标记flash上的坏块方法

默认情况下，SDK的NAND flash读写函数已经内置了flash坏块处理策略，用户不需要关注。以下方法，仅仅用于用户想要强行标记flash某些块为坏块进行某种测试的场景。正常情况下，不需要使用这些方法。

        u-boot-2010.06下标记坏块方法
u-boot-2010.06标记NAND坏块的命令如下：
[code]nand markbad offset[/code]
该命令会标记offset位置所在的NAND块为坏块，如希望标记1M位置的块为坏块，命令如下：
[code]nand markbad 0x100000[/code]
offset最好为NAND的块大小的整数倍。标记坏块后可以用如下命令查看NAND坏块：
nand bad
        内核下标记坏块方法
相关代码如下：
[code]#define MEMSETBADBLOCK                _IOW('M', 12, __kernel_loff_t)
int fd;
unsigned long long offset;
fd = open("/dev/mtd1", O_RDWR);
offset = 0x100000;
if (ioctl(fd, MEMSETBADBLOCK, &offset))
{
        printf("Mark bad block 0x%llX failed!\n", offset);
}[/code]
该段程序会标记open的mtd分区的offset偏移位置所在的NAND块为坏块；
如希望标记mtd1分区偏移1M位置的块为坏块，需要在open函数时指定mtd1（为对应分区的字符设备节点），
设置offset为0x10000，如上段代码所示；
注意：u-boot-2010.06下的offset是相对与整个NAND的偏移位置，内核下的offset是相对open的对应分区的偏移位置。