RE1C001UNTCL规格参数介绍

RE1C001UNTCL规格参数介绍

规格参数 类别：分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商：Rohm Semiconductor
系列：-
包装：剪切带（CT）
FET 类型：N 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 100μA
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7.1pF @ 10V 型号：RE1C001UNTCL： http://www.dzsc.com/ic-detail/9_6791.html FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150mW（Ta） 工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）
封装/外壳：SC-89，SOT-490

环境与出口分类 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）