海思3516DV500单片DDR启动问题

【问题描述】：
003版本更新后，原来配置单片DDR4启动的参数表编译的uboot无法正常烧写，请问表中还需要修改哪些寄存器？
先前在002版本中提过一次“支持单片1GB DDR4的uboot参数表修改”的问题，根据回复修改了如下参数：

    ddrc / AXI_REGION_ATTR0 0x0104 0x30050088->0x40050088
    ddrc / DMC0_CFG_DDRMODE 0x8050 0x00c10027->0x00c10017
    ddrphy / DXNCTRL 0x0308 0x03f80800->0x03f80803
    ddrphy / DXNCTRL 0x0388 0x03f80800->0x03f80803

但更新003版本后，修改003sdk里提供的uboot参数表中的上述寄存器后，编译的Uboot无法烧写，报错如下：

   CRC: hi3516dv500_ipc-demo-bsp_spi_nand_boot_image.bin 0xa2c9
   串口已经连接，请给单板上电，若已经上电，请断电后重新上电。
   #################################### ---- 10%
   ################################Nack error(The serial port transmission may be unstable.).
   #Failed to send the data frame.
   Failed to download file!
   Boot started successfully!

【所处环境】：
glibc；
hi3516dv500

【定位信息】：
修改过的参数表附于附件，是基于Hi3516DV500-DMEB_6L_T_DDR4_2400M-2GB_16bitx2-A55_850M.xlsm修改的