qn1523241194

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qn1523241194  发布于  2018-06-13 15:57:07
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关于hisi3519v101烧写DDR原理的问题

 

想问下hisi3519v101烧写原理,下面是我遇到的情况:
        1.uboot代码不改动的情况下,烧写就会卡在大约99%的位置
        2.在uboot源码start.s中注释掉“start_ddr_training”之后就可以下载完成100%,
        3.如果在这句话的上面加上一个死循环就卡在5%的位置。

我们板子和开发板的区别:
        1.海思开发板ddr没做等长,我们自己的板子做了等长,芯片和开发板选的一样。
        2.DDR的走线拓扑和开发板不太一样,我们PCB走线是flby,开发板是T型拓扑,

我想知道在5%和99%的阶段板子里是在做哪些事情,或者代码运行在那哪个位置?
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mengxp

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mengxp 2018-06-13 16:30:30
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hitool会先发送一小段初始化ddr的代码,bootrom执行这段代码初始化ddr,然后hitool发送bootloader(uboot),bootrom将这段代码复制到ddr,完毕后跳转执行。
由于芯片本身支持ddrtraining,因此pcb布线时不需要考虑等长。
如果有海思技术支持,则可以任意布线,然后从海思技术支持哪里索取初始化参数,否则直接参考demo布线,与demo差的不多基本上就可以使用sdk里面默认的uboot跑起来了。

qn1523241194

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qn1523241194 2018-06-14 12:06:44
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[quote][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=99525&ptid=50520]mengxp 发表于 2018-6-13 16:30[/url]
hitool会先发送一小段初始化ddr的代码,bootrom执行这段代码初始化ddr,然后hitool发送bootloader(uboot), ...[/quote]

感谢回复。
由于是第一次做hisi的板子没有经验。现在我们的板子布线做了等长,没有参考demo板的进行设计。这些参数我们自己也不知道怎么修改。海思技术支持现在也联系不到,现在这种情况还有其他什么好的解决办法吗?

qn1523241194

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qn1523241194 2018-06-22 12:05:07
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已经解决了原因是因为硬件DDR电电源部分不稳定造成的,跟现在过程中下载到哪个阶段没有直接关系。下面附上调试过程中的一些截图供大家参考;
在hi3519v101开发板上烧写fastboot,选择串口模式,波特率115200,烧写DDR和spi;
现象1:
当烧写ddr时出现在5%出卡死,提示发送首帧是失败,如图:
[img]图片/5.png[/img]
此时可能是DDR training函数没过,导致在do while里死循环。代码路径为:start.s -> reset -> after_ziju ->ziju_ddr_init -> start_ddr_training -> lowlevel_init_v300.c -> hi3519_ddr_init ,代码如下:
[img]图片/training.png[/img]

现象2:
当烧写ddr时出现在99%处卡死,提示发送尾帧是失败,如图
[img]图片/99.png[/img]

现象3
烧写DDR时出现烧写完成,但是uboot没有运行起来:
[img]图片/100.png[/img]
现象1,2,3根本原因是:DDR电源不稳定造成的,修改电路板上相关电容参数即可

qn1516784304

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qn1516784304 2018-07-06 17:29:02
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做PCBA时阻抗匹配有没做?

Emily

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Emily 2020-05-27 16:36:28
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[quote][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=100136&ptid=50520]qn1523241194 发表于 2018-6-22 12:05[/url]
已经解决了原因是因为硬件DDR电电源部分不稳定造成的,跟现在过程中下载到哪个阶段没有直接关系。下面附上 ...[/quote]

请教楼主,修改电路板上的相关电容参数是怎么修改的?是增加滤波电容吗?谢谢啦!
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