紫光计划开发DDR4内存 官方确认明年正式上市

易百纳技术社区讯 紫光计划开发DDR4内存，官方确认明年正式上市。根据相关计划，这款产品应该会在明年正式和消费者见面，这也就表示第一款自主开发的DDR4存储芯片确认会在2018年问世。

最近网络上出现了一张带着紫光标识的内存条，有网友表示这就是紫光国芯自主生产的DDR4内存，刚开始的时候大家觉得图片没有真实性，主要是因为贴纸上面出现的是PC3-12800U，而其对应的应当为DDR3 1600内存，不过紫光官方之后居然主动承认。

虽然图片上的内容不是真的，不过紫光确实有这样的计划。紫光国芯最近在互动平台上正式回应，他们表示之前网络上的报道其实并不准确，不过公司当下的确在研发DDR4内存，根据相关计划，这款产品应该会在明年正式和消费者见面。

这也就表示第一款自主开发的DDR4存储芯片确认会在2018年问世，紫光国芯LPDDR4和DDR4内存其实在今年三月份的时候就已经通过科技评价。DDR3闪存其实市面上已经在出售，有网友进行了测试，表示XMP等功能是不支持的。

不过在超频1866的情况下依然可以正常使用，因此产品达到稳定使用水平，因此大家对DDR4内存有着非常大的期待。紫光在今年一月份的时候对外宣布建设半导体基地，一共投资了两千亿，一旦基地建成，每月的晶圆产量可以达到十万片，也会成为中国最大的芯片制造商。

紫光同时也宣布对长江存储进行投资，希望能够开发国产3D NAND闪存，所以紫光未来会在多个领域有很大发展，其中包含了DRAM、芯片以及闪存，这也会在很大程度上推动紫光成为全球范围内数量不多的可以自主设计、生产、销售的半导体公司。

随着人工智能技术的不断发展，市场上对内存的需求非常大，三星今年在半导体方面发展的非常不错，年净利润很有可能首次超过Intel，因此紫光决定自主研发新一代内存让人期待不已，这会给我国半导体发展带来非常重要的促进作用。

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