LDO vs DC-DC

一般电源管理芯片就是LDO(low dropout regulator)和DC-DC，芯片升压要选DC-DC，降压可根据需求选DC-DC或者LDO。

LDO：优点是噪声低、静态电流小、体积小、外围电路简单、成本低；缺点是输入输出电压差较大会导致转换效率低，原因是LDO利用电阻分压来降压，降下来的电压转换成了热量，因此能量损耗大。

DC-DC：优点是大电流、转换效率高；缺点是噪声大、体积大。LDO设计

LDO(low dropout regulator)，低压差+线性+稳压器。
“低压差”：输出压降比较低，例如输入3.3V，输出可以达到3.2V。 “线性”：LDO内部的MOS管工作于线性电阻。 “稳压器”说明了LDO的用途是用来给电源稳压。

PMOS LDO基本结构框图如下，主要由PMOS、运放、反馈电阻和基准参考电压构成。

输出电压经电阻分压后与带隙基准电压做比较，通过运放输出Vg来调节输出。当Vout由于负载变化等原因导致电压下降时，运放FB点电压下降，与Vref电位相比较，放大器会减小它的输出，使得PMOS的栅极电压下降，进而使得|Vgs|增加，PMOS的导通电流就越大，从而使得Vout上升，完成负反馈调节。

例如,采用5V电源供电时,3.3V LDO的效率不会超过66%,但当输入电压降至3.6V时,其效率将增加到最高到91.7%。LDO功耗为(VIN – VOUT) × IOUT。电荷泵

可见，在忽略边缘电容Cfringe的情况下，每经过一级，电压被“泵”高“VCLK - Vd”。一个更简单例子如下，理想情况下，二极管的导通电压为0V（正常0.6-0.7V）：

初始状态：

VDD=2V，输⼊电压Vin=2V，输出电压Vout=2V。右边电容下极板电压从0v跳变到2V，由于电容两端电压不能突变，所以上极板的电压变为4V，经过二极管后输出也是4V。

CLK为高时：

第⼀个电容冲到4V，第⼆个电容掉到2V，中间⼆极管导通，电荷共享后两个电容都达到3V。

CLK为低时：

第⼀个电容掉到1V，第⼆个电容升到5V；然后第⼀个电容被Vin冲到2V，第⼆个电容向Vout放电直到电位降到4V（假设后面有clamp电路，超过4v会倒掉）。

电荷泵称为开关电容DC-DC变换器，与基于电感的DC-DC开关电源相比较时，又称为无感式DC-DC电源变换器。电荷泵采用电容为开关和储能元件，在当前CMOS工艺条件下的集成更为容易，因此集成度更高、成本低。

转载：全栈芯片工程师