MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管介绍

领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM推出了其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。借助于第四代氮化镓的技术优势，MACOM的MAGb系列是业界首批针对无线基站而优化并商用的氮化镓产品系列，在效率、带宽和增益上都已达到世界领先水平，成本水平与LDMOS产品相当。MACOM更有望在量产的情况下实现低于LDMOS产品的成本。

MAGb系列功率晶体管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窝应用频段。系列首批产品包括小型封装的峰值功率可达400W的单端晶体管，双功率管和峰值功率高达700W的对称/非对称Doherty架构的功率管。与传统的LDMOS工艺产品相比，MAGb系列产品在效率和封装尺寸方面展现出极大的优势，实现了高达10%的效率提升和超过15%的封装尺寸的缩小。借助于第四代的技术优势，和其他氮化镓工艺相比，MAGb系列在数字预失真(DPD)线性化和更正上表现优异。

MAGb系列功率晶体管可以比LDMOS产品覆盖更宽的带宽，可以实现用更少的器件覆盖更宽的带宽。与此同时，新的系列产品采用比LDMOS产品更为精简的Doherty架构实现超过200MHz的视频带宽。MAGB-101822-120B0S是此家族的第一款产品，它可以覆盖从1.7GHz到2.2GHz共500MHz的带宽，并提供超过19dB的带内线型增益。它采用小型的AC-400陶瓷封装，可以提供160W的峰值功率，而且在不进行谐波调试的情况下就可以达到74%的峰值效率。

该系列的第二款产品是MAGB-101822-240B0S，采用AC-780陶瓷封装。在500MHz的带宽内拥有比MAGB-101822-120B0S高一倍的峰值功率，保持了19dB的线性增益，并且在不进行谐波调试的情况下就可以实现高达72%的峰值效率。在调谐的情况下，这两款产品可以实现超过80%的峰值效率。

此系列产品继承了MACOM第四代氮化镓功率晶体管在效率、尺寸和带宽方面的优势，更适应于LTE的最新演进版本。与此同时，结合在供应链上的天然优势与MACOM数十年第四代氮化镓晶体管经验的研发和应用团队的支持，此系列产品可以提供一个最优的价格、性能与可靠性方面的平衡。

MACOM第四代氮化镓是基站功率放大器领域的改革先锋，实现了性能与价格的突破，这是其他半导体工艺都是无法实现的。我们期望通过带来MAGb产品，MACOM在无线应用领域的经验和工艺延展方面的经验可以帮助氮化镓功率放大器成为主流，充分发挥下一代无线基站的优势。