HI3518EV200主时钟及RTC时钟晶体选型要求

杨大大 2022-06-09 09:46:06 6119

1.HI3518EV200主时钟晶体选型
(1)时钟频率时钟频率=24/40MHz
● 频率误差≤±10ppm
● 温漂≤15ppm(-30~85℃)
● 温漂≤25ppm(-30~105℃)
● 串联电阻Rs=40Ω(典型值),45Ω(最大值)
● 负载电容CL=11pF(典型值),15pF(最大值)
● 激励功率DL(max)≥200μW
(2)晶体调试要求说明
● 起振条件:Rs×CL×CL<9000可以满足起振要求。
● 需要供应商提供0ppm和±10ppm 三种规格的晶体样品,使用0ppm的晶体调试,确保调试后的频偏在-5~0 ppm以内,在调试好的电路上使用±10ppm的晶体验证,确认极限频偏值是否满足±20ppm以内。
● ≤85℃应用选择常温晶体,频偏范围=温漂+频率误差≤±25ppm。
● ≤105℃应用选择高温晶体,频偏范围=温漂+频率误差≤±35ppm可以通过频偏补偿将频偏值拉回到±25ppm以内。

2.HI3518EV200的RTC时钟晶体选型
(1)时钟频率:32.768KHz
● 负载电容CL:典型值12.5pF
● 频率误差:±50ppm
● 温漂:≤400ppm
● 串联电阻Rs:≤70kΩ
● 激励功率:
DL(typ)≈0.01μW
DL(max)≥0.5μW
(2)晶体调试要求说明
● RTC-GPIO 的2个 pad 寄生电容约为 2pF~5pF,Typ=2.7pF。
● PCB板上的负载电容值(C_pcb),取决于选型的晶体的 CL值。具体计算方法:
C_pcb=CL×2-C_pin,其中
C_pin 为 IO 内部的寄生电容。因此,如果选型CL=12.5pF,则 C_pcb的建议值:12.5×2-2.7=22.3 pF,可以选用 22pF。
● 工作范围内频偏包括:25℃温度下的标称频率误差+温漂(工作温度范围内)

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