进击的嵌入式工程师
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SS524V100更换4GbitDDR后，修改uboot配置后起不来
我根据DEMO板画了一个自己的板子，参考的2LDDR布局，DDR颗粒8G是DEMO板的，4G颗粒是同型号的（K4A4G165WD），频率低一点（2400Mb/sec/pin） 使用8Gbit编译的uboot烧写正常启动，我更换为4GbitDDR后，配置了2L的uboot配置表格 AXI_REGION_MAP 0x1560
AXI_REGION_MAP 0x1580 PERI_CRG_PLL96 0x12000000 PERI_CRG_PLL97 0x00001032 ，烧写失败，一直打印System startup Failed to wait boot running!
请问下，这种情况怎么解决呢？
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海思目前不提供DDR修改部分的支持，DDR4参数配置方法仅供参考，这部分寄存器只有少部分是透明的。我建议是尽量不要去降频使用。使用2颗4Gbit 2400的颗粒，也可以按照demon板的8Gbit 参数表编译，在这种情况下相当于DDR4_2400超频到2666，应该能跑起来。最优的办法还是使用2666的颗粒。
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